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首頁進口晶振加高晶振,HSO751S晶振,加高晶體振蕩器,日本進口晶振

加高晶振,HSO751S晶振,加高晶體振蕩器,日本進口晶振

產品型號：73548565
晶振頻率：1.800~160.000MHZ
晶振尺寸：
產品應用： 無線通信,智能手機,平板筆記本,計算機,全球GPS定位系統,WLAN網絡產品等...

　　加高晶振,HSO751S晶振,加高晶體振蕩器,日本進口晶振,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計。從最初超大體積到現在的7050mm石英晶振,6035mm石英晶振,5032mm石英晶振,3225mm石英晶振,2520mm石英晶振,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,Optionable待機輸出三態輸出功能.電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

晶振各項參數	符號	HSO751S石英晶體振蕩器參數規格說明	需知條件
額定頻率范圍	f_nom	1.800MHz ~ 160.000MHz	基頻對于超出標準的規格說明，請聯系我們以便獲取相關信息。
儲存溫度	T_stg	-55°C ~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~ +70°C
激勵功率	DL	10µW typ.(100µW Max.)	推薦:1µW ~ 100µW
電源電壓	V_	+2.5 V (±10%) +2.85 V (±10%) +3.3 V (±10%) +5 V (±10%)
頻率溫度特征	f_tem	±10 ppm,±20 ppm,±30 ppm或±50 ppm(-20 + 70°C) ±30 ppm或±50 ppm(-40 + 85°C)	對于超出標準的規格說明，請聯系我們以便獲取相關的信息。
負載電容	CL	15pF, 30pF, 50pF Max.	對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息.
串聯電阻（ESR）	R1	如下表所示	-40°C to +85°C, DL = 100µW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

　　1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下：
　驅動能力(P)=i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且Re=R1（1+Co/CL）2.

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩.為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式CL≒CG×CD/（CG+CD）+CS.
其中CS表示電路的雜散電容.

　　深圳泰河電子公司主要生產產品為全系列石英晶體振蕩子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體和貼片晶振).石英晶體振蕩器(SMD OSCILLATOR) 和石英晶振控制振蕩器(SMD晶振VCXO壓控晶振).泰河電子公司擁有超過10年以上的生產經驗.秉持著持續開發與專業技術支持.提供使用者最佳的解決方案及最好的服務品質.產品廣泛用于移動通訊機,數字電視,計算機周邊產品,數碼產品,GPS,通信基站.等高科技產品.其中我司的SMD陶瓷中頻濾波器,SMD陶瓷諧振器等晶振,在通訊機和高檔次游戲機上使用時與日本村田（MURATA）公司性能兼容,體積小,高性能,超薄型.我們擁有日本先進生產技術和技術人員,從韓國SANSUNG公司,SUNIC公司,日本HAMAI公司引進劃片,成模,研磨,檢測.等高精密的自動設備,構造成現代化完美的機械化生產線,從而提高了產品合格率、可靠性、一致性，成本大大降低.同時,我們還擁有一支服務誠懇,兢兢業業,及具競爭意識的銷售團隊,產品主要銷往新加坡,馬來西亞,巴西,澳大利亞,美國,加拿大等國家.我們的銷售與生產完美的融為一體.

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